Samsung potwierdza testy pamięci GDDR6X 20 Gb/s i 24 Gb/s

MartaM | 15 grudnia 2021, 22:00

Samsung testuje moduły pamięci 16 Gb (2 GB) oparte na technologii GDDR6 o przepustowości 20 Gb/s  i 24 Gb/s. Ta technologia zostanie najprawdopodobniej użyta w kartach graficznych nowej generacji i średniej klasy.

Dzięki bystremu oku informatora wiadomo, że Samsung testuje teraz swoim partnerom moduły pamięci 16 Gb (2 GB) oparte na technologii GDDR6X o przepustowości 20 Gb/s (K4ZAF325BC-SC20) i 24 Gb/s (K4ZAF325BC-SC24).

Dane z katalogu nie nie potwierdzają jednak, jak szybko takie moduły zostaną wykorzystane w produktach detalicznych, takich jak karty graficzne nowej generacji.

Obecnie seria AMD Radeon RX 6000 korzysta teraz głównie z pamięci Samsung GDDR6 16 Gb/s, ograniczonej do 256-bitowej magistrali pamięci. Dzięki pamięci podręcznej Infinity Cache nadążaniem za przepustowością oferowaną przez pamięć NVIDIA RTX 30 GDDR6X, która w wybranych modelach osiągała 19,5 Gb/s/384-bit.

Zobacz także: realme GT 2 nadciąga! Poznaliśmy datę wydarzenia o nadchodzącym nowym modelu!

Nowe moduły 20 i 24 GB będą najprawdopodobniej używane procesory graficzne nowej generacji, takie jak AMD RDNA3, ale także średniej klasy/mobilne procesory NVIDIA Lovelace.

Chociaż to AMD Radeon RX 6900 z pamięcią GDDR6 jest najszybszym procesorem graficznym oferującym moduły 18,5 Gb/s, NVIDIA może jednak być pierwszą na rynku kartą graficzną 20 Gb/s+, ponieważ plotki wskazują na nadchodzący RTX 3090 Ti z pamięcią 21 Gb/s, który ma zadebiutować pod koniec stycznia.

Śledź nas na google news - Obserwuj to, co ważne w świecie gier!

źródło: https://videocardz.com/newz/samsung-confirms-its-gddr6-20gbps-and-24gbps-memory-is-now-sampling

Komentarze [0]: