Samsung zaprezentował nowy moduł pamięci DDR5 o pojemności aż 512 GB. Aż 40% większa wydajność.
Samsung ujawnił na konferencji Hot Chips 33 niezwykle innowacyjny moduł pamięci- DDR5-7200 o pojemności aż 512 GB. Zaawansowanie w stosunku do DDR4 jest istotnie imponujące. W porównaniu do starszej wersji nowy model oferuje o 40% wyższą wydajność przy dwukrotnie większej pojemności przy zaledwie 1,1 V.
Samsung opracował swój moduł pamięci DDR5-7200 z ośmioma ułożonymi w stos matrycami DDR5, które są połączone technologią TSV (Through-Silicon Via – przelotowy krzemowy układ scalony). To ogromna poprawa w stosunku do DDR4, która wcześniej była ograniczona do czterech matryc DDR4. Pomimo gęstszej konstrukcji, stos DDR5 mierzy 1,0 mm w porównaniu do 1,2 mm DDR4. Wykorzystując techniki obsługi cienkich płytek, Samsung był w stanie zmniejszyć odstępy między matrycami o 40%, co pozwoliło na zmniejszenie wysokości stosów.
Co więcej, moduł pamięci Samsunga jest wyposażony w kod korekcji błędów (ODECC) dla zwiększenia bezpieczeństwa.
Dodatkowym plusem jest układ zarządzania energią PMIC, który poprawia wydajność dzięki niższemu napięciu pracy.
Zobacz także: Intel ARC prezentuje pełnię możliwości oraz oferowaną jakość. Technologia będzie open-source’owa!
Moduł pamięci 512 GB DDR5 od Samsunga będzie kierowany do serwerów i centrów danych. Na rynek konsumencki trafi prawdopodobnie wersja 64 GB, co wciąż jest bardzo dobrą opcją.
Oczekuje się, że DDR5 trafi do masowej produkcji konsumenckiej dopiero w 2023 lub 2024 roku.
Śledź nas na google news – Obserwuj to, co ważne w świecie gier!