Samsung zaczyna produkcję DDR5 DRAM 14nm EUV - najbardziej zaawansowanej pamięci w technologii ekstremalnego ultrafioletu

MartaM | 19 października 2021, 13:15

Samsung rozpoczyna masową produkcję 14 nanometrowej pamięci DRAM opartej na technologii ekstremalnego ultrafioletu (EUV). Jest do duży krok zarówno dla firmy, jak i dla świata technologicznego. Pamięć DDR5 14nm EUV drastycznie zwiększa prędkość oraz jest oszczędniejsza w zużyciu energii w porównaniu z poprzednią generacją. 

Samsung Electronic ogłosiło właśnie, że rozpoczyna masową produkcję najbardziej zaawansowanej pamięci DRAM w technologii ekstremalnego ultrafioletu - EUV oraz 14 nanometrowej litografii.

Te rozwiązania mają zwiększyć wydajność oraz produkcji dzięki poprawionej dokładności patterningu. Samsung zastosuje bardzo nowoczesne rozwiązanie 14 nanometrowej litografii, co ma pomóc w obniżeniu zużycia energii o 20 % w porównaniu do poprzedniej generacji. Dodatkowo nowa generacja pamięci zwiększy podwójnie prędkość do do 7,2 gigabitów na sekundę. 

Zobacz także: HyperX udało się przebić nową barierę linii HyperX Cloud

Jooyoung Lee, starszy wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics wypowiedział się na temat ich nowego osiągnięcia:

Dziś Samsung ustanawia kolejny kamień milowy w technologii wielowarstwowego EUV, który pozwolił na ekstremalną miniaturyzację w 14nm – wyczyn nieosiągalny w konwencjonalnym procesie argonowo-fluorkowym (ArF). Postęp ten pozwala nam dostarczać najbardziej zróżnicowane rozwiązania pamięciowe, w pełni odpowiadając na potrzeby współczesnego świata napędzanego przez t5G, AI i metawersję.

Firma kieruje DDR5 DRAM 14nm EUV do obsługi centrów danych, aplikacji serwerowych dla przedsiębiorstw oraz superkomputerów.

Co więcej, Samsung przewiduje zwiększenie gęstości 14nm DRAM do 24Gb w celu zaspokojenia rosnącego zapotrzebowania na dane w globalnych systemach IT.

Śledź nas na google news - Obserwuj to, co ważne w świecie gier!

źródło: Informacja Prasowa

Komentarze [0]: